ФИЗИКА

ЭЛЕКТРОСТАТИКА

Заряд тела

q - заряд тела, [Kл];

е - элементарный заряд, [Kл];

N- число электронов;

N_p - число протонов.

Закон сохранения электрического заряда

q₁, q₂,... q_n - заряды взаимодействующих тел, [Kл].

Закон Кулона

F - сила электрической взаимодействия, [H];

r - расстояние между зарядами, [м];

ε₀ -электрическая постоянная, ε₀ = 8,85 · 10^-12, [Ф/м];

k -коэффициент пропорциональности, k = 9 · 10⁹, [(Н · м²)/Kл].

В однородном диэлектрике

ε - диэлектрическая проницаемость среды, величина, указывающая, во сколько раз уменьшается сила электростатического взаимодействия в данной среде

Напряженность электростатического поля

- напряженность электростатического поля, [Н/Kл];

- сила, действующая со стороны электростатического поля, [H];

_1,2 - напряженность электростатического поля, созданного соответствующим зарядом

Поле проводящей сферы

R - радиус сферы, [м];

r - расстояние до исследуемой точки поля, [м].

Поверхностная плотность заряда

σ - поверхностная плотность заряда, [Кл/м²];

S - площадь поверхности, [м²].

Поле равномерно заряженной бесконечной плоскости

Потенциальная энергия заряда

W_p - потенциальная энергия заряда, [Дж].

Работа сил электростатического поля

А - работа сил электростатического поля, [Дж];

d - перемещение, [м];

ΔW_p - изменение потенциальной энергии

Потенциал

φ - потенциал, [Дж/Кл = B];

φ₁, φ₂,..., φ_n - потенциал соответствующего поля;

Δφ - разность потенциалов.

Напряжение

U - напряжение, [B].

Электроемкость

c - электроемкость.

Плоский конденсатор

S - площадь пластины, [м²];

d - расстояние между пластинами, [м];

ε₀ - электрическая постоянная, ε₀ = 8,85 · 10^-12, [Ф/м²];

ε - диэлектрическая проницаемость

W_p -потенциальная энергия, [Дж].

Соединение конденсаторов

Параллельное соединение

q₁ - заряд на обкладках 1-го конденсатора;

q₂ - заряд на обкладках 2-го конденсатора;

q - заряд на обкладках нового конденсатора;

U₁ - напряжение между обкладками 1-го конденсатора;

U₂ - напряжение между обкладками 2-го конденсатора.

Последовательное соединение

U - напряжение между обкладками нового конденсатора;

С₁ - емкость 1-го конденсатора;

С₂ - емкость 2-го конденсатора;

C - емкость нового конденсатора.